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ICP--150等離子體刻蝕機(jī)
時(shí)間:2016-12-29 15:23
設(shè)備名稱(chēng)：等離子體刻蝕機(jī)設(shè)備型號(hào)：ICP--150
使用單位：成都電子科技大學(xué)
設(shè)備指示：
1. 基片尺寸：6 英寸圓片及以下；4 片 4x4 cm 方片
2. 工藝腔體：進(jìn)口鋁材 6061，一體化加工，內(nèi)壁硬氧處理
3. 傳輸腔室：機(jī)械手臂不破真空進(jìn)行樣品傳輸
4. 射頻電源：等離子體源 1000W，13.56MHz，自動(dòng)匹配；偏置源 1000W，13.56MHz，
自動(dòng)匹配
5. 控壓閥門(mén)：程控自動(dòng)
6. 溫度控制：載片臺(tái)溫度可控（液控），氦氣背冷
7. 真空測(cè)量：薄膜電容工藝規(guī)；全量程規(guī)
8. 工藝氣體：5 路工藝氣體
9. 控制系統(tǒng)：電氣系統(tǒng)和軟件控制全自主開(kāi)發(fā)，Windows 環(huán)境，觸摸屏操作
10. 機(jī)臺(tái)特點(diǎn)：一體型設(shè)備，參考占地面積 1400mm（長(zhǎng)）×1000mm（寬）；不銹鋼光面
潔凈外板
11. 安全機(jī)制：機(jī)臺(tái)異常處理機(jī)制與急停機(jī)制（EMO）
12. 工藝應(yīng)用：硅基材料及聚合物（如 Teflon、Parylene）等常規(guī)材料刻蝕
13. 工藝性能：
? ● SiO2 刻蝕工藝：
*刻蝕速率：≥ 100 nm/min
*片內(nèi)刻蝕均勻性：≤ ± 3%（6 英寸）@去除無(wú)效邊緣
*片間刻蝕重復(fù)性：≤ ± 3%（6 英寸）@去除無(wú)效邊緣
*側(cè)壁角度：≥85°
*深寬比：＞2:1（寬 2μm）
? ● Si3N4 刻蝕工藝：
*刻蝕速率：≥ 150 nm/min
*片內(nèi)刻蝕均勻性：≤ ± 3%（6 英寸）@去除無(wú)效邊緣
*片間刻蝕重復(fù)性：≤ ± 3%（6 英寸）@去除無(wú)效邊緣
*側(cè)壁角度：≥85°
*深寬比：＞2:1（寬 2μm）